2SD130
シリコンパワートランジスタ 東芝 2SD130
低周波電力増幅用として設計されました。
拡散接合型構造のため三重拡散型やエピタキシャルプレーナ型に比べ「電流増幅率の直線性が悪い」「トランジョン周波数が低い」といった短所があります。
しかしトランジスタ固有の２次降伏破壊に対して非常に強いため、安心して使えるタフなトランジスタでもあります。
電流増幅率の直線性が悪いとアンプの歪率が大きくなりますが、負帰還によって改善することが出来ます。そうすれば十分実用に耐えるＨｉＦｉアンプが作れます。
【諸元】
製造：東京芝浦電気株式会社
構造：シリコンＮＰＮ拡散接合型
【最大定格】
コレクタ・ベース間電圧： ６０Ｖ
コレクタ電流 ： ３Ａ
コレクタ損失 ： ２５Ｗ
画像及び本文：klx_111様
